BSC057N03LSGATMA1、BSC0909NS、BSC080N03LSGATMA1对比区别

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型号 BSC057N03LSGATMA1 BSC0909NS BSC080N03LSGATMA1

描述 Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC057N03LSGATMA1, 71 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装30V,9.2mΩ,44A,N沟道功率MOSFETINFINEON  BSC080N03LSGATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 53 A, 30 V, 0.0067 ohm, 10 V, 2.2 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 PG-TDSON-8 PG-TDSON-8 PG-TDSON-8

额定功率 45 W - 35 W

针脚数 8 - 8

漏源极电阻 0.0048 Ω 7.7 mΩ 0.0067 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 45 W 2.5 W 35 W

阈值电压 1 V - 2.2 V

输入电容 1800 pF - -

漏源极电压(Vds) 30 V 34 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 17A 12A 14A

上升时间 3.6 ns 4.4 ns 2.8 ns

输入电容(Ciss) 1800pF @15V(Vds) 1110pF @15V(Vds) 1300pF @15V(Vds)

下降时间 3.2 ns 5.4 ns 2.6 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 45W (Tc) 2.5W (Ta), 27W (Tc) 2.5W (Ta), 35W (Tc)

通道数 - 1 1

漏源击穿电压 - 34 V 30 V

额定功率(Max) - 27 W -

长度 5.49 mm 5.9 mm 5.9 mm

宽度 5.49 mm 5.15 mm 5.15 mm

高度 1.1 mm 1.27 mm 1.27 mm

封装 PG-TDSON-8 PG-TDSON-8 PG-TDSON-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17