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1N755C-1E3TR、JANTX1N755C-1、JANTXV1N755C-1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N755C-1E3TR JANTX1N755C-1 JANTXV1N755C-1

描述 DO-35 7.5V 0.5W(1/2W)SILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODESSILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODES

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 DO-35 DO-35-2 DO-35

引脚数 - 2 -

容差 - ±5 % ±2 %

正向电压 - 1.1V @200mA 1.1V @200mA

稳压值 7.5 V 7.5 V 7.5 V

额定功率(Max) - 500 mW 500 mW

耗散功率 500 mW 0.5 W -

测试电流 - 20 mA -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

封装 DO-35 DO-35-2 DO-35

长度 - 5.08 mm -

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -65℃ ~ 175℃

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 - Bag -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 -