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M29DW323DT70N6E、M29W320DT70N6E、MX29LV320ETTI-70G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 M29DW323DT70N6E M29W320DT70N6E MX29LV320ETTI-70G

描述 MICRON  M29DW323DT70N6E  闪存, 引导块, 32 Mbit, 4M x 8位 / 2M x 16位, CFI, 并行, TSOP, 48 引脚32兆位4Mb的X8或X16的2Mb ,引导块3V电源快闪记忆体 32 Mbit 4Mb x8 or 2Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash MemoryNOR 闪存Macronix 从 2 M 位密度提供 3 V 延长线路和 5 V 工业标准并行 NOR 闪存产品。 这些产品具有 Boot and Uniform Sector 体系结构,提供 x8、x16 和 x8/x16 可选配置。 在 3 V 产品线路中,MX29LV 系列提供标准读取访问权限,且 MX29GL 和 MX68GL 系列提供页模式访问权限。### 闪存,Macronix

数据手册 ---

制造商 Micron (镁光) ST Microelectronics (意法半导体) Macronix International (旺宏电子)

分类 Flash芯片Flash芯片Flash芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 48 48 48

封装 TSOP-48 TSOP-48 TSOP-48

电源电压(DC) 2.70V (min) 3.60V (max) -

位数 8, 16 8, 16 8, 16

存取时间 70 ns 70.0 ns 70 ns

内存容量 4000000 B 4000000 B -

存取时间(Max) 70 ns 70 ns 70 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

供电电流 10 mA - 16 mA

针脚数 48 - 48

电源电压 2.7V ~ 3.6V - 2.7V ~ 3.6V

电源电压(Max) 3.6 V - 3.6 V

电源电压(Min) 2.7 V - 2.7 V

封装 TSOP-48 TSOP-48 TSOP-48

高度 1 mm - 1.05 mm

长度 - - 18.5 mm

宽度 - - 12.1 mm

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Each Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) - -40℃ ~ 85℃ (TA)

香港进出口证 - - NLR