IRF7476TRPBF、STS6NF20V对比区别
描述 Trans MOSFET N-CH 12V 15A 8Pin SOIC T/RSTMICROELECTRONICS STS6NF20V 晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 20 V, 45 mohm, 2.7 V, 600 mV
数据手册 --
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 2.5 W 2.5 W
漏源极电压(Vds) 12 V 20 V
上升时间 29 ns 33 ns
输入电容(Ciss) 2550pF @6V(Vds) 460pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W
下降时间 8.3 ns 10 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
针脚数 - 8
漏源极电阻 - 0.045 Ω
阈值电压 - 600 mV
漏源击穿电压 - 20.0 V
栅源击穿电压 - ±12.0 V
连续漏极电流(Ids) - 6.00 A
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 2500 mW
封装 SOIC-8 SOIC-8
长度 - 5 mm
宽度 - 4 mm
高度 - 1.25 mm
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17
工作温度 - 150℃ (TJ)