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IXFH160N15T2、IXTH160N15T、IXFH160N15T对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFH160N15T2 IXTH160N15T IXFH160N15T

描述 N沟道 150V 160ATO-247 N-CH 150V 160ATrans MOSFET N-CH 150V 160A 3Pin(3+Tab) TO-247

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

引脚数 3 - -

耗散功率 880W (Tc) 830W (Tc) 830W (Tc)

漏源极电压(Vds) 150 V 150 V 150 V

输入电容(Ciss) 15000pF @25V(Vds) 8800pF @25V(Vds) 8800pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 880W (Tc) 830W (Tc) 830W (Tc)

通道数 1 - -

极性 N-CH N-CH -

阈值电压 4.5 V - -

连续漏极电流(Ids) 160A 160A -

上升时间 15 ns - -

下降时间 26 ns - -

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

宽度 5.3 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free