SI7469DP-T1-E3、SI7469DP-T1-GE3对比区别

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型号 SI7469DP-T1-E3 SI7469DP-T1-GE3

描述 VISHAY  SI7469DP-T1-E3  晶体管, MOSFET, P沟道, -28 A, -80 V, 0.021 ohm, -10 V, -3 VVISHAY  SI7469DP-T1-GE3.  场效应管, MOSFET, P沟道, -80V, 28A, SOIC

数据手册 --

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount -

引脚数 8 8

封装 PowerPAKSO-8 PowerPAKSO-8

针脚数 8 8

漏源极电阻 0.021 Ω 0.029 Ω

极性 P-Channel P-Channel

耗散功率 83 W 5.2 W

漏源极电压(Vds) -80.0 V -80.0 V

连续漏极电流(Ids) -28.0 A -28.0 A

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -

长度 5.99 mm 6.15 mm

高度 1.07 mm 1.04 mm

封装 PowerPAKSO-8 PowerPAKSO-8

宽度 - 5.15 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 -

包装方式 - Tape & Reel (TR)

ECCN代码 - EAR99