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2SC1970、MRF553对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2SC1970 MRF553

描述 NPN外延平面型(对VHF频段的移动无线电应用的RF功率放大器) NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(for RF power amplifiers on VHF band Mobile radio applications)射频与微波离散小功率三极管 RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS

数据手册 --

制造商 Mitsubishi (三菱) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

封装 SFM -

安装方式 - Surface Mount

引脚数 - 4

封装 SFM -

高度 - 2.54 mm

产品生命周期 Obsolete Obsolete

包装方式 - Bulk

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

耗散功率 - 3000 mW

输出功率 - 1.5 W

击穿电压(集电极-发射极) - 16 V

增益 - 11.5 dB

最小电流放大倍数(hFE) - 30 @250mA, 5V

额定功率(Max) - 3 W

耗散功率(Max) - 3000 mW

ECCN代码 - EAR99