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AUIRF1010ZS、PSMN7R6-60BS、IRF1010ZSTRLPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AUIRF1010ZS PSMN7R6-60BS IRF1010ZSTRLPBF

描述 INFINEON  AUIRF1010ZS  晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 55 V, 5.8 mohm, 10 V, 2 VNXP  PSMN7R6-60BS  晶体管, MOSFET, N沟道, 92 A, 60 V, 0.0059 ohm, 10 V, 3 VHEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263 TO-263-3

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.0058 Ω 0.0059 Ω 0.0058 Ω

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 140 W 149 W 140 W

阈值电压 2 V 3 V 4 V

漏源极电压(Vds) 55 V 60 V 55 V

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

额定功率 140 W - -

连续漏极电流(Ids) 94A - 94A

上升时间 150 ns - 150 ns

输入电容(Ciss) 2840pF @25V(Vds) - 2840pF @25V(Vds)

下降时间 92 ns - 92 ns

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 140W (Tc) - 140W (Tc)

输入电容 - - 2840 pF

额定功率(Max) - - 140 W

封装 TO-263-3 TO-263 TO-263-3

长度 10.67 mm - 10.67 mm

宽度 9.65 mm - 11.3 mm

高度 4.83 mm - 4.83 mm

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Rail, Tube - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Exempt RoHS Compliant

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

含铅标准 Lead Free - Lead Free

材质 Silicon - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃ (TJ)