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BCY59VIII、BCY59VIIILEADFREE对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCY59VIII BCY59VIIILEADFREE

描述 Trans GP BJT NPN 45V 0.2A 3Pin TO-18TO-18 NPN 45V 0.2A

数据手册 --

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Central Semiconductor

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 TO-18 TO-18

引脚数 3 -

极性 - NPN

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V

集电极最大允许电流 - 0.2A

额定电压(DC) 42.0 V -

额定电流 100 mA -

最小电流放大倍数(hFE) 180 @2mA, 5V -

额定功率(Max) 390 mW -

工作温度(Max) 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

耗散功率(Max) 390 mW -

封装 TO-18 TO-18

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Bulk -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free -

材质 Silicon -

工作温度 175℃ (TJ) -

ECCN代码 EAR99 -