FCB11N60TM、STB11NM60T4、FCB11N60对比区别

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型号 FCB11N60TM STB11NM60T4 FCB11N60

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FCB11N60TM  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 320 mohm, 10 V, 5 VN 通道 MDmesh™，600V/650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FCB11N60  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 320 mohm, 10 V, 5 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管中高压MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.32 Ω 0.4 Ω 320 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 125 W 160 W 125 W

阈值电压 5 V 4 V 5 V

漏源极电压(Vds) 600 V 650 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 11.0 A 11.0 A 11A

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃

额定电压(DC) 600 V 600 V -

额定电流 11.0 A 11.0 A -

输入电容 - 1000 pF -

漏源击穿电压 600 V 600 V -

栅源击穿电压 - ±30.0 V -

上升时间 98 ns 20 ns -

正向电压(Max) - 1.5 V -

输入电容(Ciss) 1490pF @25V(Vds) 1000pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 125 W 160 W -

下降时间 56 ns 11 ns -

耗散功率(Max) 125W (Tc) 160W (Tc) -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263

长度 10.67 mm 10.4 mm -

宽度 9.65 mm 10.4 mm -

高度 4.83 mm 4.6 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 -