FQI4N20、IRLI610A、FQI4N20TU对比区别

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型号 FQI4N20 IRLI610A FQI4N20TU

描述 200V N沟道MOSFET 200V N-Channel MOSFET先进的功率MOSFET Advanced Power MOSFETN沟道 200V 3.6A

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管

封装 I2PAK I2PAK TO-262-3

安装方式 - - Through Hole

极性 N-CH N-CH N-CH

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

连续漏极电流(Ids) 3.6A 3.3A 3.60 A

额定电压(DC) - - 200 V

额定电流 - - 3.60 A

耗散功率 - - 3.13 W

上升时间 - - 50 ns

输入电容(Ciss) - - 220pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - - 3.13 W

下降时间 - - 25 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 3.13W (Ta), 45W (Tc)

封装 I2PAK I2PAK TO-262-3

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 - - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)