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IRLR3717TRPBF、STD17NF03LT4、STD86N3LH5对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRLR3717TRPBF STD17NF03LT4 STD86N3LH5

描述 Trans MOSFET N-CH 20V 120A 3Pin(2+Tab) DPAK T/RN 通道 STripFET™,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronicsN沟道30 V , 0.0045欧姆, 80 A, DPAK的STripFET V功率MOSFET N-channel 30 V, 0.0045 Ohm , 80 A, DPAK STripFET V Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) - 30.0 V -

额定电流 120 A 17.0 A -

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 5.5 mΩ 0.05 Ω 0.0045 Ω

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 89 W 30 W 70 W

阈值电压 - 1.5 V 1.8 V

输入电容 2830pF @10V 320 pF 1850 pF

漏源极电压(Vds) 20 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 - 30.0 V -

栅源击穿电压 - ±16.0 V -

连续漏极电流(Ids) 120 A 17.0 A -

上升时间 - 100 ns 14 ns

输入电容(Ciss) 2830pF @10V(Vds) 320pF @25V(Vds) 1850pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 89 W 30 W 70 W

下降时间 - 22 ns 10.8 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 30W (Tc) 70W (Tc)

产品系列 IRLR3717 - -

长度 6.73 mm 6.6 mm 6.6 mm

宽度 - 6.2 mm 6.2 mm

高度 2.26 mm 2.4 mm 2.4 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 EAR99