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CFH800、FHX35LG、NE722S01对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CFH800 FHX35LG NE722S01

描述 典型的共源极S - 参数 Typical Common Source S - ParametersTrans JFET 2V 10mA GaAs HEMT 4Pin Case LGNECs C TO X BAND N-CHANNEL GaAs MES FET

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Sumitomo (住友) NEC (日本电气)

分类

基础参数对比

封装 - CASE LG -

频率 - 12 GHz -

封装 - CASE LG -

产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

香港进出口证 - NLR -