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KD421K10、MG100M2YK1、2DI100D-100对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 KD421K10 MG100M2YK1 2DI100D-100

描述 1000V 100ANPN transistor for high power switching and notor control applications2DI100D-100 power transistor module

数据手册 ---

制造商 Powerex Toshiba (东芝) FUJI (富士电机)

分类

基础参数对比

击穿电压(集电极-发射极) 1000 V - -

集电极最大允许电流 100A - -

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

RoHS标准 - RoHS Compliant -

含铅标准 - Lead Free -