IRLR120ATF、IRLR120NPBF、IRLR120NTRPBF对比区别
型号 IRLR120ATF IRLR120NPBF IRLR120NTRPBF
描述 N沟道 100V 8.4AN 通道功率 MOSFET 8A 至 12A，InfineonInfineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。INFINEON IRLR120NTRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 100 V, 0.185 ohm, 10 V, 2 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
漏源极电阻 0.22 Ω 0.185 Ω 0.185 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 35 W 48 W 39 W
阈值电压 2 V 2 V 2 V
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
漏源击穿电压 100 V 100 V 100 V
栅源击穿电压 ±20.0 V - -
连续漏极电流(Ids) 8.40 A 10A 10A
输入电容(Ciss) 440pF @25V(Vds) 440pF @25V(Vds) 440pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 2.5 W - 48 W
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 175 ℃
耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 35W (Tc) 48W (Tc) 48W (Tc)
额定功率 - 39 W 39 W
针脚数 - 3 3
输入电容 - 440pF @25V 440 pF
上升时间 - 35 ns 35 ns
下降时间 - 22 ns 22 ns
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
长度 - 6.73 mm 6.73 mm
宽度 - 6.22 mm 6.22 mm
高度 - 2.39 mm 2.39 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 - Silicon -
产品生命周期 Unknown Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - -