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GS8662T18BGD-300、UPD44644182AF5-E33-FQ1-A对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 GS8662T18BGD-300 UPD44644182AF5-E33-FQ1-A

描述 静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 4M x 18 72MSRAM Chip Sync Single 1.8V 72M-bit 4M x 18 0.45ns 165Pin BGA

数据手册 --

制造商 GSI Renesas Electronics (瑞萨电子)

分类

基础参数对比

引脚数 - 165

封装 BGA-165 BGA

供电电流 - 560 mA

存取时间 - 0.45 ns

工作温度(Max) 70 ℃ -

工作温度(Min) 0 ℃ -

封装 BGA-165 BGA

产品生命周期 Active Unknown

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free -