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R1WV6416RSA-5SI、R1WV6416RSA-5SI#B0、R1WV6416RSA-7SI对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 R1WV6416RSA-5SI R1WV6416RSA-5SI#B0 R1WV6416RSA-7SI

描述 64MB先进LPSRAM ( 4M字X 16位/ 800万字X 8位) 64Mb Advanced LPSRAM (4M word x 16bit / 8M word x 8bit)SRAM Chip Async Single 3V 64M-Bit 8M/4M x 8/16Bit 55ns 48Pin TSOP-I Tray64MB先进LPSRAM ( 4M字X 16位/ 800万字X 8位) 64Mb Advanced LPSRAM (4M word x 16bit / 8M word x 8bit)

数据手册 ---

制造商 Renesas Electronics (瑞萨电子) Renesas Electronics (瑞萨电子) Renesas Electronics (瑞萨电子)

分类 RAM芯片

基础参数对比

封装 TSSOP TSOP-48 TSSOP

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 48 -

封装 TSSOP TSOP-48 TSSOP

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

包装方式 - Tray -

位数 - 8, 16 -

存取时间 - 55 ns -

存取时间(Max) - 50 ns -

工作温度(Max) - 85 ℃ -

工作温度(Min) - -40 ℃ -

电源电压 - 3 V -

工作温度 - -40℃ ~ 85℃ -

RoHS标准 - RoHS Compliant -

含铅标准 - Lead Free -

ECCN代码 - EAR99 -