锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

1N6476、JAN1N6476、1.5KE56A对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N6476 JAN1N6476 1.5KE56A

描述 高SUGRE性能为瞬态保护对于大部分关键电路。 HIGH SUGRE CAPACITY PROVIDES TRANSIENT PROTECTION FOR MOST CRITICAL CIRCUITS.51.6V 1500WDiode TVS Single Uni-Dir 47.8V 1.5kW Automotive 2Pin Ammo

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Diotec Semiconductor

分类 二极管TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 2 2

封装 Case G G -

电路数 1 - -

钳位电压 78.5 V 78.5 V 77 V

测试电流 1 mA 1 mA 1 mA

脉冲峰值功率 1500 W 1500 W 1500 W

最小反向击穿电压 54 V 54 V -

击穿电压 54 V 54 V -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -50 ℃

最大反向电压(Vrrm) - 51.6V -

击穿电压 - - 56 V

耗散功率 - - 1.5 kW

工作结温 - - -50℃ ~ 175℃

封装 Case G G -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bag Bag Ammo Pack

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead -