IRF6892STR1PBF、IRF6892STRPBF对比区别

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型号 IRF6892STR1PBF IRF6892STRPBF

描述 Direct-FET N-CH 25V 28A单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 8

封装 Direct-FET Direct-FET

极性 N-CH N-Channel

耗散功率 2.1W (Ta), 42W (Tc) 2.1W (Ta), 42W (Tc)

漏源极电压(Vds) 25 V 25 V

连续漏极电流(Ids) 28A 28A

上升时间 - 30 ns

输入电容(Ciss) 2510pF @13V(Vds) 2510pF @13V(Vds)

下降时间 - 9.5 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃

耗散功率(Max) 2.1W (Ta), 42W (Tc) 2.1W (Ta), 42W (Tc)

封装 Direct-FET Direct-FET

长度 4.85 mm -

宽度 3.95 mm -

高度 0.52 mm -

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99