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AVD035P、SD1530-01、MS2341对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AVD035P SD1530-01 MS2341

描述 RF Power Bipolar Transistor, 1Element, L Band, Silicon, NPN射频与微波晶体管航空电子应用 RF & MICROWAVE TRANSISTORS AVIONICS APPLICATIONSTrans RF BJT NPN 2.6A 4Pin Case M-115

数据手册 ---

制造商 Advanced Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - - Surface Mount

引脚数 - - 4

封装 - - M-115

击穿电压(集电极-发射极) - - 65 V

增益 - - 9 dB

额定功率(Max) - - 87.5 W

工作温度(Max) - - 200 ℃

工作温度(Min) - - -65 ℃

耗散功率(Max) - - 87500 mW

封装 - - M-115

工作温度 - - 200℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 - - Bulk

RoHS标准 - - Non-Compliant

含铅标准 - - Lead Free

ECCN代码 - - EAR99