AVD035P、SD1530-01、MS2341对比区别
描述 RF Power Bipolar Transistor, 1Element, L Band, Silicon, NPN射频与微波晶体管航空电子应用 RF & MICROWAVE TRANSISTORS AVIONICS APPLICATIONSTrans RF BJT NPN 2.6A 4Pin Case M-115
数据手册 ---
制造商 Advanced Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体) Microsemi (美高森美)
分类 双极性晶体管
安装方式 - - Surface Mount
引脚数 - - 4
封装 - - M-115
击穿电压(集电极-发射极) - - 65 V
增益 - - 9 dB
额定功率(Max) - - 87.5 W
工作温度(Max) - - 200 ℃
工作温度(Min) - - -65 ℃
耗散功率(Max) - - 87500 mW
封装 - - M-115
工作温度 - - 200℃ (TJ)
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 - - Bulk
RoHS标准 - - Non-Compliant
含铅标准 - - Lead Free
ECCN代码 - - EAR99