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IRLS3036PBF、IRLS3036TRLPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRLS3036PBF IRLS3036TRLPBF

描述 INFINEON  IRLS3036PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 165 A, 60 V, 0.0019 ohm, 4.5 V, 2.5 VINFINEON  IRLS3036TRLPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 270 A, 60 V, 0.0019 ohm, 10 V, 2.5 V 新

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3

额定功率 380 W 380 W

针脚数 3 3

漏源极电阻 0.0019 Ω 0.0019 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 380 W 380 W

阈值电压 2.5 V 2.5 V

输入电容 - 11210 pF

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 270A 270A

上升时间 220 ns 220 ns

输入电容(Ciss) 11210pF @50V(Vds) 11210pF @50V(Vds)

下降时间 110 ns 110 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 380000 mW 380W (Tc)

额定功率(Max) - -

长度 10.67 mm 10.67 mm

宽度 9.65 mm 6.22 mm

高度 4.83 mm 2.3 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3

材质 Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 -