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AUIRLZ44Z、AUIRLZ44ZSTRL、AUIRLZ44ZS对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AUIRLZ44Z AUIRLZ44ZSTRL AUIRLZ44ZS

描述 INFINEON  AUIRLZ44Z  晶体管, MOSFET, N沟道, 51 A, 55 V, 0.011 ohm, 10 V, 1 VMOSFET N-CH 55V 51A D2PAKN 通道功率 MOSFET,InfineonInfineon 的全面 AECQ-101 汽车资格单芯片 N 通道设备组合可满足许多应用中的多种电源要求。 该分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

通道数 - - 1

漏源极电阻 0.011 Ω - 0.011 Ω

极性 N-Channel - N-CH

耗散功率 80 W 80 W 80 W

阈值电压 1 V - 1 V

漏源极电压(Vds) 55 V - 55 V

漏源击穿电压 - - 55 V

连续漏极电流(Ids) 51A - 51A

上升时间 160 ns 160 ns 160 ns

输入电容(Ciss) 1620pF @25V(Vds) - 1620pF @25V(Vds)

下降时间 42 ns 42 ns 42 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 80W (Tc) - 80 W

额定功率 80 W - -

针脚数 3 - -

长度 10.67 mm 10 mm 10.67 mm

宽度 4.83 mm 4.4 mm 9.65 mm

高度 16.51 mm 15.65 mm 4.83 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

材质 Silicon - -

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 Tube - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17