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JAN1N6134US、JANTX1N6134US、JANS1N6134US对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN1N6134US JANTX1N6134US JANS1N6134US

描述 E-MELF 114V 500WE-MELF 114V 500WTrans Voltage Suppressor Diode, 500W, 114V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HERMETIC SEALED, SURFACE MOUNT PACKAGE-2

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 二极管

基础参数对比

封装 SQ-MELF E-MELF -

安装方式 Surface Mount - -

最大反向电压(Vrrm) 114V 114V -

脉冲峰值功率 500 W 500 W -

最小反向击穿电压 135.38 V - -

封装 SQ-MELF E-MELF -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -

RoHS标准 - -

含铅标准 - -