MRF6V2300NR1、MRF6V2300NR5对比区别

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型号 MRF6V2300NR1 MRF6V2300NR5

描述 NXP MRF6V2300NR1 RF FET Transistor, 110V, 2.5mA, 300W, 10MHz, 600MHz, TO-270RF Power Transistor,10 to 600MHz, 300W, Typ Gain in dB is 25.5 @ 220MHz, 50V, LDMOS, SOT1736

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 5

封装 TO-270 TO-270-4

频率 220 MHz 220 MHz

额定电流 2.5 mA 2.5 mA

无卤素状态 Halogen Free Halogen Free

输出功率 300 W 300 W

增益 25.5 dB 25.5 dB

测试电流 900 mA 900 mA

输入电容(Ciss) 268pF @50V(Vds) 268pF @50V(Vds)

工作温度(Max) 150 ℃ 225 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃

额定电压 110 V 110 V

电源电压 - 50 V

耗散功率 300 W -

漏源极电压(Vds) 110 V -

漏源击穿电压 110V (min) -

连续漏极电流(Ids) 2.50 mA -

封装 TO-270 TO-270-4

高度 2.64 mm -

工作温度 -65℃ ~ 225℃ -65℃ ~ 225℃

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99