FDS8880、STS12NF30L、STS11NF30L对比区别

高亮显示差异参数

型号 FDS8880 STS12NF30L STS11NF30L

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS8880  晶体管, MOSFET, N沟道, 11.6 A, 30 V, 0.0079 ohm, 10 V, 2.5 VSTMICROELECTRONICS  STS12NF30L  晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 30 V, 0.008 ohm, 10 V, 1 VN 通道 STripFET™ F3，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V 30.0 V

额定电流 11.6 A 12.0 A 11.0 A

通道数 - 1 -

针脚数 8 8 -

漏源极电阻 0.0079 Ω 0.008 Ω 0.0085 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.5 W

阈值电压 2.5 V 1 V 1 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 30.0 V 30.0 V 30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V ±16.0 V ±18.0 V

连续漏极电流(Ids) 11.6 A 12.0 A 11.0 A

上升时间 27 ns 90 ns 39 ns

输入电容(Ciss) 1235pF @15V(Vds) 2400pF @25V(Vds) 1440pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W 2.5 W

下降时间 15 ns 35 ns 16 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2500 mW 2500 mW

额定功率 - - 2.5 W

输入电容 1.23 nF - -

栅电荷 23.0 nC - -

长度 5 mm 5 mm 5 mm

宽度 4 mm 4 mm 4 mm

高度 1.5 mm 1.25 mm 1.25 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - -