IRF7404、IRF7404PBF、IRF7404TRPBF对比区别
型号 IRF7404 IRF7404PBF IRF7404TRPBF
描述 SOIC P-CH 20V 6.7AP 通道功率 MOSFET 最大 7A，InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。INFINEON IRF7404TRPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -6.7 A, -20 V, 0.04 ohm, -4.5 V, -700 mV
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
额定电压(DC) -20.0 V -20.0 V -
额定电流 -6.70 A -6.70 A -
极性 P-Channel P-Channel P-CH
耗散功率 2.50 W 2.5 W 2.5 W
产品系列 IRF7404 IRF7404 -
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V
漏源击穿电压 -20.0 V -20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 6.70 A -6.70 A 6.7A
上升时间 32 ns 32 ns 32 ns
输入电容(Ciss) 1500pF @15V(Vds) 1500pF @15V(Vds) 1500pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 2.5 W - 2.5 W
下降时间 65 ns 65 ns 65 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2500 mW 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
额定功率 - 2.5 W 2.5 W
针脚数 - - 8
漏源极电阻 - - 0.04 Ω
阈值电压 - - 700 mV
输入电容 - - 1500 pF
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
长度 - 5 mm 5 mm
宽度 - 4 mm 4 mm
高度 - 1.5 mm 1.5 mm
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
ECCN代码 - EAR99 EAR99