IXFH12N100Q、IXFV12N90P、IXFH12N90P对比区别

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型号 IXFH12N100Q IXFV12N90P IXFH12N90P

描述 IXYS SEMICONDUCTOR  IXFH12N100Q  功率场效应管, MOSFET, HiPerFET, N沟道, 12 A, 1 kV, 1.05 ohm, 10 V, 5.5 VPLUS N-CH 900V 6AIXYS SEMICONDUCTOR  IXFH12N90P  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 12 A, 900 V, 900 mohm, 10 V, 3.5 V

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管中高压MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-247-3 TO-220-3 TO-247-3

引脚数 3 - 3

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 300 W 380W (Tc) 380 W

漏源极电压(Vds) 1000 V 900 V 900 V

连续漏极电流(Ids) 12.0 A 6A 6A

输入电容(Ciss) 2900pF @25V(Vds) 3080pF @25V(Vds) 3080pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 300W (Tc) 380W (Tc) 380W (Tc)

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 1.05 Ω - 0.9 Ω

阈值电压 5.5 V - 3.5 V

上升时间 23 ns - 34 ns

下降时间 15 ns - 68 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

额定功率 300 W - -

额定功率(Max) 300 W - -

封装 TO-247-3 TO-220-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

重量 6.00 g - -

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 - Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15