锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

IXFH20N80P、IXFV20N80PS、IXFT20N80P对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFH20N80P IXFV20N80PS IXFT20N80P

描述 Trans MOSFET N-CH 800V 20A 3Pin(3+Tab) TO-247Trans MOSFET N-CH 800V 20A 3Pin(2+Tab) PLUS220 SMDTrans MOSFET N-CH 800V 20A 3Pin(2+Tab) TO-268

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount

引脚数 - - 3

封装 TO-247-3 PLUS-220SMD TO-268-3

通道数 1 - 1

漏源极电阻 - - 520 mΩ

耗散功率 500 W 500W (Tc) 500 W

阈值电压 5 V - 5 V

漏源极电压(Vds) 800 V 800 V 800 V

漏源击穿电压 - - 800 V

上升时间 - - 24 ns

输入电容(Ciss) 4685pF @25V(Vds) 4685pF @25V(Vds) 4685pF @25V(Vds)

下降时间 - - 24 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - 55 ℃

耗散功率(Max) 500W (Tc) 500W (Tc) 500W (Tc)

长度 - - 16.05 mm

宽度 5.3 mm - 14 mm

高度 - - 5.1 mm

封装 TO-247-3 PLUS-220SMD TO-268-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free