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DSA10I100PM、STPS10L60D、STTH812FP对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DSA10I100PM STPS10L60D STTH812FP

描述 IXYS SEMICONDUCTOR  DSA10I100PM  小信号肖特基二极管, 单, 100 V, 10 A, 720 mV, 220 A, 175 °CSTMICROELECTRONICS  STPS10L60D  肖特基整流器, 单, 60 V, 10 A, TO-220AC, 2 引脚, 600 mVSTMICROELECTRONICS  STTH812FP  快速/超快二极管, 单, 1.2 kV, 8 A, 1.25 V, 50 ns, 80 A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 肖特基二极管肖特基二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 2 2

封装 TO-220-2 TO-220-2 TO-220-2

额定电压(DC) - 60.0 V 1.20 kV

额定电流 - 10.0 A 8.00 A

输出电流 - ≤10.0 A ≤8.00 A

针脚数 3 2 -

正向电压 720 mV 600mV @10A 1.25 V

极性 - Standard Standard

热阻 - 1.6℃/W (RθJC) 5.4℃/W (RθJC)

正向电流 10 A 10 A 8 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) 220 A 220 A 80 A

正向电压(Max) 720 mV 600 mV 1.25 V

正向电流(Max) 10 A 10000 mA 8 A

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -65 ℃

工作结温 - 150℃ (Max) 175℃ (Max)

反向恢复时间 - - 100 ns

工作结温(Max) 175 ℃ - 175 ℃

耗散功率(Max) 35000 mW - -

封装 TO-220-2 TO-220-2 TO-220-2

长度 - - 10.4 mm

宽度 - - 4.6 mm

高度 - - 16.4 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Each Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 -