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580、JANTXV1N5809、JANS1N5809对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 580 JANTXV1N5809 JANS1N5809

描述 Rectifier Diode, 1 Element, 6A, 100V V(RRM),军事审批,效率高, 2.5安培和6.0 AMP MILITARY APPROVED, HIGH EFFICIENCY, 2.5 AMP AND 6.0 AMP超快速整流器 ULTRA FAST RECTIFIERS

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole Through Hole

引脚数 - 2 2

封装 - B-Package-2 B-Package-2

正向电压 - 875mV @4A 875mV @4A

反向恢复时间 - 30 ns 30 ns

正向电流 - 6000 mA 6000 mA

正向电压(Max) - 875mV @4A 875mV @4A

正向电流(Max) - 6 A 6 A

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

长度 - 7.62 mm 7.62 mm

封装 - B-Package-2 B-Package-2

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 - Bag Bulk

RoHS标准 - Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 -

军工级 - Yes -

ECCN代码 - EAR99 -