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IDT7133LA55G、IDT7133SA55G、7133SA55GB对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IDT7133LA55G IDT7133SA55G 7133SA55GB

描述 HIGH -SPEED 2K ×16的CMOS双口静态RAM HIGH-SPEED 2K x 16 CMOS DUAL-PORT STATIC RAMSHIGH -SPEED 2K ×16的CMOS双口静态RAM HIGH-SPEED 2K x 16 CMOS DUAL-PORT STATIC RAMSIc Sram 32Kbit 55ns 68pga

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 RAM芯片存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 - - Through Hole

引脚数 - 68 68

封装 PGA PGA PGA-68

存取时间 - - 55 ns

工作温度(Max) - - 70 ℃

工作温度(Min) - - 0 ℃

电源电压(Max) - - 5.5 V

电源电压(Min) - - 4.5 V

长度 - 29.464 mm 29.46 mm

宽度 - 29.464 mm 29.46 mm

高度 - - 3.68 mm

封装 PGA PGA PGA-68

厚度 - - 3.68 mm

工作温度 - - -55℃ ~ 125℃

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 Non-Compliant - RoHS Compliant

含铅标准 - - Contains Lead

ECCN代码 EAR99 EAR99 3A001A2C