锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

ZTX788B、ZTX788BSTZ对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ZTX788B ZTX788BSTZ

描述 Bipolar Small Signal NPN Super E-LinePNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR

数据手册 --

制造商 Diodes (美台) Diodes (美台)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 E-Line E-Line-3

额定电压(DC) -15.0 V -15.0 V

额定电流 -3.00 A -3.00 A

极性 PNP PNP

击穿电压(集电极-发射极) 15 V 15 V

集电极最大允许电流 3A 3A

最小电流放大倍数(hFE) 500 @10mA, 2V 500 @10mA, 2V

额定功率(Max) 1 W 1 W

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1000 mW 1000 mW

耗散功率 1000 mW -

封装 E-Line E-Line-3

材质 Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 200℃ -55℃ ~ 200℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Bulk Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC