IRF3415PBF、IRFB4321PBF、AUIRF3415对比区别

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型号 IRF3415PBF IRFB4321PBF AUIRF3415

描述 INFINEON  IRF3415PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 37 A, 150 V, 42 mohm, 10 V, 4 VINFINEON  IRFB4321PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 83 A, 150 V, 15 mohm, 10 V, 5 VINFINEON  AUIRF3415  晶体管, MOSFET, N沟道, 43 A, 150 V, 0.042 ohm, 10 V, 2 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定功率 200 W 330 W 200 W

通道数 1 - 1

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.042 Ω 0.015 Ω 0.042 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 200 W 330 W 200 W

阈值电压 4 V 5 V 2 V

漏源极电压(Vds) 150 V 150 V 150 V

连续漏极电流(Ids) 43.0 A 85A 43A

上升时间 55 ns 60 ns 55 ns

输入电容(Ciss) 2400pF @25V(Vds) 4460pF @50V(Vds) 2400pF @25V(Vds)

下降时间 69 ns 35 ns 69 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 200W (Tc) 350W (Tc) 200W (Tc)

额定功率(Max) 200 W 350 W -

额定电压(DC) 150 V - -

额定电流 43.0 A - -

产品系列 IRF3415 - -

输入电容 2400pF @25V - -

漏源击穿电压 150 V - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

热阻 0.75℃/W (RθJC) - -

长度 10 mm 10.66 mm 10.66 mm

宽度 4.4 mm 4.82 mm 4.82 mm

高度 8.77 mm 9.02 mm 16.51 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

材质 - - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 - EAR99 -