DS1270Y-100、DS1270Y-70IND#、DS1270Y-70#对比区别

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型号 DS1270Y-100 DS1270Y-70IND# DS1270Y-70#

描述 IC NVSRAM 16Mbit 100NS 36EDIP非易失性SRAM (NVSRAM), 16Mbit, 2M x 8bit, 70ns读/写, 并行, 4.5V至5.5V, EDIP-36IC NVSRAM 16Mbit 70NS 36EDIP

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片RAM芯片存储芯片

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 36 36 36

封装 EDIP-36 EDIP-36 EDIP-36

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max)

时钟频率 100 GHz 70.0 GHz 70.0 GHz

存取时间 100 ns 70 ns 70 ns

内存容量 16000000 B 16000000 B 16000000 B

工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

电源电压(Max) 5.5 V 5.5 V 5.25 V

电源电压(Min) 4.5 V 4.5 V 4.75 V

工作电压 - - 5 V

针脚数 - 36 -

长度 53.34 mm - -

宽度 18.8 mm - -

高度 10.29 mm - -

封装 EDIP-36 EDIP-36 EDIP-36

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Bulk Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead PB free PB free