AOTF8N80、IXFI7N80P、FQA7N80_F109对比区别

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型号 AOTF8N80 IXFI7N80P FQA7N80_F109

描述 800V,7.4A,N沟道MOSFETTO-263 N-CH 800V 7A800V N沟道MOSFET 800V N-Channel MOSFET

数据手册 ---

制造商 Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体) IXYS Semiconductor Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 - -

封装 TO-220-3 TO-262-3 TO-3-3

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 50 W 200W (Tc) 198W (Tc)

漏源极电压(Vds) 800 V 800 V 800 V

连续漏极电流(Ids) 7.4A 7A 7.2A

上升时间 51 ns - -

输入电容(Ciss) 1650pF @25V(Vds) 1890pF @25V(Vds) 1850pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 50 W - -

下降时间 41 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 50W (Tc) 200W (Tc) 198W (Tc)

封装 TO-220-3 TO-262-3 TO-3-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended Active Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - - EAR99