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MT47H256M8EB-25E IT:C、MT47H256M8EB-25E IT:C TR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MT47H256M8EB-25E IT:C MT47H256M8EB-25E IT:C TR

描述 DRAM Chip DDR2 SDRAM 2Gbit 256Mx8 1.8V 60Pin FBGA TrayDRAM Chip DDR2 SDRAM 2G-Bit 256Mx8 1.8V 60Pin FBGA T/R

数据手册 --

制造商 Micron (镁光) Micron (镁光)

分类 RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 60 60

封装 FBGA-60 FBGA-60

工作电压 1.80 V -

供电电流 130 mA -

位数 8 -

存取时间 400 ps 400 ps

存取时间(Max) 0.4 ns -

工作温度(Max) 85 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

封装 FBGA-60 FBGA-60

工作温度 -40℃ ~ 95℃ -40℃ ~ 95℃

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Tray Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free PB free

ECCN代码 EAR99 -