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1N5806、JANS1N5806、1N5809对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N5806 JANS1N5806 1N5809

描述 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 150V V(RRM), Silicon,整流器效率高, ESP , 2.5安培至20 AMP RECTIFIERS HIGH EFFICIENCY, ESP, 2.5 AMP TO 20 AMP3A, SILICON, RECTIFIER DIODE, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, D2A, 2 PIN

数据手册 ---

制造商 Solid State Devices Microsemi (美高森美) Semelab

分类 TVS二极管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole -

引脚数 - 2 -

封装 - Case A -

正向电压 - 875mV @1A -

反向恢复时间 - 25 ns -

正向电流 - 2.5 A -

正向电压(Max) - 875mV @1A -

正向电流(Max) - 2500 mA -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - 65 ℃ -

封装 - Case A -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Bulk -

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

军工级 - Yes -