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SMBJ8V5A、SMBJ8.5A-E3/55、SMBJ8.5A-13-F对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SMBJ8V5A SMBJ8.5A-E3/55 SMBJ8.5A-13-F

描述 Diode TVS Single Uni-Dir 8.5V 600W 2-Pin SMBESD 抑制器/TVS 二极管 RECOMMENDED ALT 625-SMBJ8.5A-E3/5BSMBJ8.5A-13-F 编带

数据手册 ---

制造商 Taiwan Semiconductor (台湾半导体) Vishay Semiconductor (威世) Diodes (美台)

分类 TVS二极管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

封装 SMB DO-214AA-2 SMB

引脚数 2 - 2

工作电压 - 8.5 V 8.5 V

击穿电压 - 9.44 V 9.44 V

耗散功率 - 1 W -

钳位电压 14.4 V 14.4 V 14.4 V

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

额定电压(DC) - - 8.50 V

额定功率 - - 600 W

测试电流 1 mA - 1 mA

脉冲峰值功率 600 W - 600 W

最小反向击穿电压 - - 9.44 V

击穿电压 9.44 V - 9.44 V

工作结温 -55℃ ~ 150℃ - -55℃ ~ 150℃

封装 SMB DO-214AA-2 SMB

长度 - - 4.70 mm

宽度 - - 3.94 mm

高度 - - 2.62 mm

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

ECCN代码 - - EAR99