IPU60R1K0CEAKMA1、IPU60R1K0CEBKMA1、IPU60R1K0CEAKMA2对比区别

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型号 IPU60R1K0CEAKMA1 IPU60R1K0CEBKMA1 IPU60R1K0CEAKMA2

描述 Mosfet n-Ch 600V To-251-3TO-251 N-CH 600V 4.3AN沟道 600V 4.3A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

封装 TO-251-3 TO-251-3 TO-251-3

引脚数 - 3 -

极性 - N-CH N-CH

耗散功率 - 37 W 61W (Tc)

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) - 4.3A 4.3A

上升时间 8 ns 8 ns 8 ns

输入电容(Ciss) 280pF @100V(Vds) 280pF @100V(Vds) 280pF @100V(Vds)

下降时间 13 ns 13 ns 13 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ 40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 37000 mW 37W (Tc) 61W (Tc)

通道数 - 1 -

漏源极电阻 - 1 Ω -

阈值电压 - 2.5 V -

漏源击穿电压 - 600 V -

封装 TO-251-3 TO-251-3 TO-251-3

长度 - 6.73 mm -

宽度 - 2.38 mm -

高度 - 6.22 mm -

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free 无铅