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IRF610STRL、IRF610STRRPBF、IRF610SPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF610STRL IRF610STRRPBF IRF610SPBF

描述 MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAKMOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAKTrans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3Pin(2+Tab) D2PAK

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

耗散功率 3W (Ta), 36W (Tc) 3W (Ta), 36W (Tc) 3W (Ta), 36W (Tc)

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

输入电容(Ciss) 140pF @25V(Vds) 140pF @25V(Vds) 140pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 3W (Ta), 36W (Tc) 3W (Ta), 36W (Tc) 3W (Ta), 36W (Tc)

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free