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CY14B101P-SFXI、CY14B101PA-SFXI、CY14B101I-SFXI对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY14B101P-SFXI CY14B101PA-SFXI CY14B101I-SFXI

描述 1兆位( 128K ×8 )串行SPI的nvSRAM与实时时钟 1 Mbit (128K x 8) Serial SPI nvSRAM with Real Time ClockNVSRAM SOIC 密度 10241兆位( 128K ×8 )串行( I2C)的nvSRAM与实时时钟 1 Mbit (128K x 8) Serial (I2C) nvSRAM with Real Time Clock

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 16 16 16

封装 SOIC-16 SOIC-16 SOIC-16

供电电流 10 mA - -

耗散功率 1 W 1 W 1 W

存取时间(Max) 15 ns 15 ns 900 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 1 W 1 W 1 W

电源电压 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V

电源电压(Max) 3.6 V 3.6 V 3.6 V

电源电压(Min) 2.7 V 2.7 V 2.7 V

工作电压 - 3 V 3 V

针脚数 - 16 -

时钟频率 - - 3.4 MHz

封装 SOIC-16 SOIC-16 SOIC-16

长度 - - 10.2865 mm

宽度 - - 7.4925 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99