SI4559EY、SI7530DP-T1-E3、SI4559EY-E3对比区别

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型号 SI4559EY SI7530DP-T1-E3 SI4559EY-E3

描述 N-Channel 60V (D-S)/ 175C MOSFETMOSFET N/P-CH 60V 3A PPAK SO-8MOSFET 60V 4.5/3.1A

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

封装 SO SO-8 SOT

安装方式 - Surface Mount -

封装 SO SO-8 SOT

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 - - Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

漏源极电压(Vds) - 60 V -

漏源极电阻 55.0 mΩ - -

极性 N-Channel - -

耗散功率 2.40 W - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

连续漏极电流(Ids) -4.50 A to 4.50 A - -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -