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BC337-025G、BC337-25-AP、BC33740BU对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC337-025G BC337-25-AP BC33740BU

描述 NPN 晶体管,ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard. ### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管MICRO COMMERCIAL COMPONENTS  BC337-25-AP  双极性晶体管, NPN, 45VDC, TO-92FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BC33740BU  单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 625 mW, 800 mA, 170 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Micro Commercial Components (美微科) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-92-3

频率 210 MHz - 100 MHz

额定电压(DC) 45.0 V - 45.0 V

额定电流 800 mA - 800 mA

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 0.625 W 625 mW 625 mW

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 45 V

集电极最大允许电流 0.8A - 0.8A

最小电流放大倍数(hFE) 160 @100mA, 1V 160 @100mA, 1V 250 @100mA, 1V

额定功率(Max) 625 mW 625 mW 625 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 625 mW 625 mW 625 mW

针脚数 - 3 3

最大电流放大倍数(hFE) - - 630

直流电流增益(hFE) - 60 170

长度 5.2 mm - 4.58 mm

宽度 4.19 mm - 3.86 mm

高度 5.33 mm - 4.58 mm

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-92-3

材质 Silicon - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Box Tape & Box (TB) Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99