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BCP52TA、CZT4033TR、BCP52对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCP52TA CZT4033TR BCP52

描述 Trans GP BJT PNP 60V 1A 2000mW Automotive 4Pin(3+Tab) SOT-223 T/RPower Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin,PNP 晶体管,60 至 160V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) Central Semiconductor Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4

引脚数 4 - 4

封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4

长度 - - 6.5 mm

宽度 - - 3.5 mm

高度 - - 1.6 mm

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

额定电压(DC) -60.0 V - -60.0 V

额定电流 -1.00 A - -1.20 A

针脚数 - - 4

极性 PNP - PNP

耗散功率 2 W - 1.5 W

击穿电压(集电极-发射极) 60 V - 60 V

最小电流放大倍数(hFE) 40 @150mA, 2V - 40 @150mA, 2V

额定功率(Max) 2 W - 1.5 W

直流电流增益(hFE) - - 25

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 2000 mW - 1.5 W

频率 150 MHz - -

额定功率 2 W - -

集电极最大允许电流 1A - -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 Silicon - -

ECCN代码 - - EAR99