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GE28F256L18T85、M58LR128KB70ZB5E、M58LR256KB70ZC5F对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 GE28F256L18T85 M58LR128KB70ZB5E M58LR256KB70ZC5F

描述 Flash Mem Parallel 1.8V 256M-Bit 16M x 16 85ns 56Pin VFBGANOR Flash Parallel/Serial 1.8V 128Mbit 8M x 16Bit 70ns 56Pin VFBGA TrayNOR Flash Parallel/Serial 1.8V 256Mbit 16M x 16Bit 70ns 79Pin VF-BGA T/R

数据手册 ---

制造商 Intel (英特尔) Micron (镁光) Micron (镁光)

分类 Flash芯片存储芯片Flash芯片

基础参数对比

封装 VFBGA VFBGA-56 VFBGA

安装方式 - Surface Mount -

电源电压 1.8 V 1.7V ~ 2V -

存取时间 - 70 ns -

封装 VFBGA VFBGA-56 VFBGA

产品生命周期 Obsolete Unknown Unknown

包装方式 - Tray Tape & Reel (TR)

工作温度 - -30℃ ~ 85℃ (TA) -30℃ ~ 85℃

RoHS标准 - RoHS Compliant

含铅标准 - 无铅 -