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IRFS4229PBF、STB75NF20、SUM45N25-58-E3对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFS4229PBF STB75NF20 SUM45N25-58-E3

描述 Trans MOSFET N-CH 250V 45A 3Pin(2+Tab) D2PAK TubeN 通道 STripFET™,STMicroelectronicsN沟道250 -V ( D- S) 175℃ MOSFET N-Channel 250-V (D-S) 175 °C MOSFET

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) VISHAY (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

漏源极电阻 42 mΩ 0.028 Ω 0.047 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 330 W 190 W 3.75 W

产品系列 IRFS4229 - -

阈值电压 5 V 3 V 4 V

漏源极电压(Vds) 250 V 200 V 250 V

连续漏极电流(Ids) 45.0 A 47.0 A, 75.0 A 45.0 A

输入电容(Ciss) 4560pF @25V(Vds) 3260pF @25V(Vds) 5000pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 330 W 190 W -

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -50 ℃ -55 ℃

上升时间 - 33 ns 220 ns

下降时间 - 29 ns 145 ns

耗散功率(Max) - 190W (Tc) 3.75W (Ta), 375W (Tc)

针脚数 - 3 -

漏源击穿电压 - 200 V -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

长度 - 10.4 mm 10.41 mm

宽度 - 9.35 mm 9.65 mm

高度 - 4.6 mm 4.83 mm

工作温度 -40℃ ~ 175℃ -50℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Rail, Tube Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2014/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -