71V416S12BEI、IDT71V416S12BEI、CY7C1041DV33-10BVI对比区别

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型号 71V416S12BEI IDT71V416S12BEI CY7C1041DV33-10BVI

描述 静态随机存取存储器 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS 静态随机存取存储器SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-bit 256K x 16 12ns 48Pin CABGA Tray异步静态 RAM 存储器，Cypress Semiconductor### SRAM（静态随机存取存储器）

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 48 - 48

封装 CABGA-48 TFBGA-48 VFBGA-48

供电电流 180 mA - -

存取时间 12 ns - 10 ns

存取时间(Max) 12 ns - 10 ns

工作温度(Max) 85 ℃ - 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ - -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V - 3V ~ 3.6V

电源电压(Max) 3.6 V - 3.6 V

电源电压(Min) 3 V - 3 V

频率 - - 100 MHz

时钟频率 - - 100 MHz

位数 - - 16

长度 9 mm - 8 mm

宽度 9 mm - 6 mm

高度 1.2 mm - 0.21 mm

封装 CABGA-48 TFBGA-48 VFBGA-48

厚度 1.20 mm - -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ - -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Contains Lead

ECCN代码 - 3A991 -