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CY14MB256J2-SXIT、N25S818HAS21I、23K256-I/SN对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY14MB256J2-SXIT N25S818HAS21I 23K256-I/SN

描述 256千位( 32 K A ?? 8 )串行( I2C )的nvSRAM 256-Kbit (32 K × 8) Serial (I2C) nvSRAMN25S818HA 系列 256 K字节 1.8 V 低功耗 串行 SRAM - SOIC-8RAM,Microchip### SRAM(静态随机存取存储器)

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) ON Semiconductor (安森美) Microchip (微芯)

分类 存储芯片存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

频率 - - 20.0 MHz

电源电压(DC) - 1.70V (min) 2.70V (min)

工作电压 - - 2.7V ~ 3.6V

针脚数 - - 8

时钟频率 - 16.0 MHz 20 MHz

位数 - 8 8

内存容量 - 32000 B 4000 B

存取时间(Max) 130 ns 32 ns 25 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V 1.7V ~ 1.95V 2.7V ~ 3.6V

电源电压(Max) - - 3.6 V

电源电压(Min) - - 2.7 V

耗散功率(Max) 1 W - -

无卤素状态 - Halogen Free -

长度 - - 4.9 mm

宽度 - - 3.9 mm

高度 - - 1.25 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99

HTS代码 - - 8542320051