IXFH20N80Q、STW20NK50Z、SPW17N80C3对比区别

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型号 IXFH20N80Q STW20NK50Z SPW17N80C3

描述 IXYS SEMICONDUCTOR  IXFH20N80Q  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 800 V, 420 mohm, 10 V, 4.5 VN 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsINFINEON  SPW17N80C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 800 V, 290 mohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

额定电压(DC) 800 V 500 V 800 V

额定电流 20.0 A 17.0 A 17.0 A

通道数 1 1 -

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.42 Ω 0.23 Ω 290 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 360 W 190 W 208 W

阈值电压 4.5 V 3.75 V 3 V

漏源极电压(Vds) 800 V 500 V 800 V

漏源击穿电压 800 V 500 V -

连续漏极电流(Ids) 20.0 A 17.0 A 17.0 A

上升时间 27 ns 20 ns 15 ns

输入电容(Ciss) 5100pF @25V(Vds) 2600pF @25V(Vds) 2320pF @25V(Vds)

下降时间 14 ns 15 ns 12 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

工作结温(Max) 150 ℃ - -

耗散功率(Max) 360W (Tc) 190W (Tc) 227W (Tc)

额定功率 - 190 W 227 W

输入电容 - 2600 pF -

栅源击穿电压 - ±30.0 V -

额定功率(Max) - 190 W 208 W

长度 16.26 mm 15.75 mm 16.13 mm

宽度 5.3 mm 5.15 mm 5.21 mm

高度 21.46 mm 20.15 mm 21.1 mm

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

重量 6 g - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2014/06/16 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

HTS代码 8541290095 - -

香港进出口证 - - NLR