STP200NF04、BUK652R3-40C,127、IRF2804PBF对比区别

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型号 STP200NF04 BUK652R3-40C,127 IRF2804PBF

描述 N 通道 STripFET™，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsTO-220AB N-CH 40V 120AN沟道,40V,75A,2mΩ@10V

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) NXP (恩智浦) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

引脚数 3 - 3

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 310 W 306 W 330 W

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V

连续漏极电流(Ids) 120 A 120A 270 A

输入电容(Ciss) 5100pF @25V(Vds) 15100pF @25V(Vds) 6450pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 310 W 306 W 300 W

耗散功率(Max) 310W (Tc) 306W (Tc) 330000 mW

额定电压(DC) 40.0 V - 40.0 V

额定电流 120 A - 75.0 A

通道数 1 - 1

漏源极电阻 0.0033 Ω - 2.3 mΩ

产品系列 - - IRF2804

输入电容 - - 6450pF @25V

漏源击穿电压 40.0 V - 40 V

上升时间 320 ns - 120 ns

下降时间 120 ns - 130 ns

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

针脚数 3 - -

阈值电压 4 V - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

长度 10.4 mm - 10.66 mm

宽度 4.6 mm - 4.4 mm

高度 15.75 mm - 9.02 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tube Rail, Tube Rail, Tube

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -